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HP8M31TB1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
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| 100+ | CNY10.440 (CNY11.7972) |
| 500+ | CNY8.450 (CNY9.5485) |
| 1000+ | CNY7.180 (CNY8.1134) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号HP8M31TB1
库存编号3934697
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道8.5A
连续漏极电流 Id P沟道8.5A
漏源通态电阻N沟道0.046ohm
漏源导通电阻P沟道0.046ohm
晶体管封装类型HSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道7W
耗散功率P沟道7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源导通电阻P沟道
0.046ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
7W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
晶体管封装类型
HSOP
耗散功率N沟道
7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005