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HP8M31TB1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号HP8M31TB1
库存编号3934697RL
技术数据表
晶体管极性N和P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续8.5A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.046ohm
连续漏极电流 Id N沟道8.5A
连续漏极电流 Id P沟道8.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.046ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.046ohm
晶体管封装类型HSOP
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd7W
耗散功率N沟道7W
耗散功率P沟道7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
8.5A
在电阻RDS（上）
0.046ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
漏源导通电阻P沟道
0.046ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
7W
耗散功率P沟道
7W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
HSOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005