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QH8JB5TCR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QH8JB5TCR
库存编号3639755RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续5A
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道5A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型TSMT
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
5A
连续漏极电流 Id N沟道
5A
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
TSMT
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006