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QH8M22TCR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.0346 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QH8M22TCR
库存编号2706749RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续4.5A
在电阻RDS（上）0.0346ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.0346ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0346ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型TSMT
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.0346ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
4.5A
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0346ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0346ohm
晶体管封装类型
TSMT
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577