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SCT3120ALGC11
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.12欧姆, 18V, 5.6 V
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|---|---|
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| 5+ | CNY68.180 (CNY77.0434) |
| 10+ | CNY63.410 (CNY71.6533) |
| 50+ | CNY58.630 (CNY66.2519) |
| 100+ | CNY53.860 (CNY60.8618) |
| 250+ | CNY49.080 (CNY55.4604) |
包装规格：每个
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
21A
漏源接通状态电阻
0.12ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247N
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
103W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.005