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UT6K3TCR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UT6K3TCR
库存编号2965352RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续5.5A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
晶体管封装类型DFN2020
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
5.5A
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.03ohm
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN2020
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000026