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产品信息
制造商产品编号SCT1000N170
库存编号3680100
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续7A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻1ohm
晶体管封装类型HiP247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散96W
工作温度最高值200°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
7A
漏源接通状态电阻
1ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
3.5V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
96W
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0045