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STD13N60DM2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 11 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号STD13N60DM2
库存编号3132720RL
产品范围MDmesh DM2
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续11A
漏源接通状态电阻0.31ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散110W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围MDmesh DM2
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.31ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
MDmesh DM2
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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找到 6 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035