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STF8NK100Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, 通孔
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产品信息
制造商产品编号STF8NK100Z
库存编号2098241
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续6.5A
漏源接通状态电阻1.6ohm
晶体管封装类型TO-220FP
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散40W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STF8NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- Very low intrinsic capacitance
- 100% Avalanche tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.5A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
1.6ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002268