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STL19N60M2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号STL19N60M2
库存编号2889930RL
产品范围MDmesh
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续11A
漏源接通状态电阻0.278ohm
晶体管封装类型PowerFLAT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散90W
针脚数5引脚
工作温度最高值150°C
产品范围MDmesh
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
- 600V, 11A N-channel MDmesh M2 power MOSFET in a 5 pin PowerFLAT 8x8 HV package
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics
- Suitable for the most demanding high efficiency converters
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
90W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.278ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
5引脚
产品范围
MDmesh
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000279