打印页面
STP11NM80
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, 通孔
673 有货
需要更多？
673 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY30.020 (CNY33.9226) |
| 10+ | CNY26.280 (CNY29.6964) |
| 100+ | CNY25.330 (CNY28.6229) |
| 500+ | CNY25.190 (CNY28.4647) |
| 1000+ | CNY22.330 (CNY25.2329) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY30.02 (CNY33.92 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The STP11NM80 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
- Low gate input resistance
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.4ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
STP11NM80 的替代之选
找到 2 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005216