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CSD85301Q2T
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.023 ohm
产品概述
The CSD85301Q2T is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source ON-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
- Low ON-resistance
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
5A
连续漏极电流 Id N沟道
5A
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.023ohm
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
2.3W
耗散功率P沟道
2.3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.023ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
WSON
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00006