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SI3590DV-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
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| 50+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
| 100+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 500+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
| 1500+ | CNY2.750 (CNY3.1075) |
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产品概述
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low conduction losses
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.5A
漏源导通电阻P沟道
0.062ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
830mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.062ohm
晶体管封装类型
TSOP
耗散功率N沟道
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045