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SI3590DV-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI3590DV-T1-GE3
库存编号2056715RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续2.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.062ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.5A
连续漏极电流 Id P沟道2.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.062ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.062ohm
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数6引脚
功耗 Pd830mW
耗散功率N沟道830mW
耗散功率P沟道830mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low conduction losses
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
2.5A
在电阻RDS（上）
0.062ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.062ohm
漏源导通电阻P沟道
0.062ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
830mW
耗散功率P沟道
830mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045