打印页面
SI4174DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 17 A, 0.0095 ohm, SOIC, 表面安装
6,623 有货
需要更多？
6623 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.840 (CNY8.8592) |
| 10+ | CNY5.860 (CNY6.6218) |
| 100+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 500+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 1000+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 5000+ | CNY2.720 (CNY3.0736) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY7.84 (CNY8.86 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4174DY-T1-GE3
库存编号1840422
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.0095ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SI4174DY-T1-GE3 是一款30VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于高压侧开关应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0095ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4174DY-T1-GE3 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005