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SIA975DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.07 ohm
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| 100+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 500+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 1000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 5000+ | CNY1.780 (CNY2.0114) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA975DJ-T1-GE3
库存编号2335392
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.07ohm
漏源导通电阻P沟道0.07ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.07ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001