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SI1026X-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
产品概述
The SI1026X-T1-GE3 is a 60VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 15 ns Fast switching speed
- 30pF Low input capacitance
- Low input and output leakage
- Miniature package
- Halogen-free
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low error voltage
- Small board area
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
305mA
漏源导通电阻P沟道
1.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
305mA
漏源通态电阻N沟道
1.4ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
SI1026X-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123