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SI1026X-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1026X-T1-GE3
库存编号2646361RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续305mA
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道305mA
在电阻RDS（上）1.4ohm
连续漏极电流 Id P沟道305mA
漏源通态电阻N沟道1.4ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道1.4ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SC-89
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd250mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI1026X-T1-GE3 is a 60VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 15 ns Fast switching speed
- 30pF Low input capacitance
- Low input and output leakage
- Miniature package
- Halogen-free
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low error voltage
- Small board area
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
305mA
连续漏极电流 Id N沟道
305mA
连续漏极电流 Id P沟道
305mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
1.4ohm
漏源通态电阻N沟道
1.4ohm
漏源导通电阻P沟道
1.4ohm
晶体管封装类型
SC-89
功耗 Pd
250mW
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI1026X-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123