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SI3552DV-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI3552DV-T1-E3
库存编号2646377RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续2.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.085ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.5A
连续漏极电流 Id P沟道2.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.085ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd1.15W
耗散功率N沟道1.15W
耗散功率P沟道1.15W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
2.5A
在电阻RDS（上）
0.085ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.15W
耗散功率P沟道
1.15W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSOP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.15W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000129