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SI4816BDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4816BDY-T1-GE3
库存编号2101479RL
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
晶体管极性N沟道+肖特基
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续5.8A
连续漏极电流 Id N沟道5.8A
在电阻RDS（上）0.0155ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0155ohm
漏源导通电阻P沟道0.0155ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.25W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.8A
连续漏极电流 Id P沟道
5.8A
漏源通态电阻N沟道
0.0155ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
5.8A
在电阻RDS（上）
0.0155ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0155ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
1.25W
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000147