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N沟道+肖特基 双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
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在电阻RDS（上）
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.880 (CNY4.3844) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 100V | 100V | 100V | 2.7A | 0.105ohm | 2.7A | 2.7A | 0.105ohm | 表面安装 | 0.105ohm | 10V | SOIC | 1.7V | 8引脚 | 1.6W | 1.6W | 1.6W | 150°C | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY7.790 (CNY8.8027)500+ CNY6.160 (CNY6.9608)1000+ CNY5.090 (CNY5.7517)5000+ CNY5.000 (CNY5.650) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 28A | 0.01ohm | 28A | 28A | 0.01ohm | 表面安装 | 0.01ohm | 10V | PowerPAIR | 1.2V | 10引脚 | 100W | 100W | 100W | 150°C | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY7.490 (CNY8.4637)500+ CNY7.120 (CNY8.0456)1000+ CNY6.750 (CNY7.6275)5000+ CNY6.460 (CNY7.2998) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 5.8A | 0.0155ohm | 5.8A | 5.8A | 0.0093ohm | 表面安装 | 0.0093ohm | 10V | SOIC | 3V | 8引脚 | 1W | 1.25W | 1.25W | 150°C | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY7.490 (CNY8.4637)500+ CNY7.120 (CNY8.0456)1000+ CNY6.750 (CNY7.6275)5000+ CNY6.460 (CNY7.2998) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 5.8A | 0.0155ohm | 5.8A | 5.8A | 0.0155ohm | 表面安装 | 0.0155ohm | 10V | SOIC | 3V | 8引脚 | 1.25W | 1.25W | 1.25W | 150°C | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.130 (CNY6.9269)500+ CNY5.190 (CNY5.8647)1000+ CNY4.910 (CNY5.5483) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 60A | 0.0022ohm | 60A | 60A | 0.0022ohm | 表面安装 | 0.0022ohm | 10V | PowerPAIR | 2.2V | 8引脚 | 32.9W | 32.9W | 32.9W | 150°C | TrenchFET Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.160 (CNY3.5708) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 94.6A | 0.0018ohm | 94.6A | 94.6A | 0.0018ohm | 表面安装 | 0.0018ohm | 10V | PowerPAIR | 2.2V | 8引脚 | 32.9W | 32.9W | 32.9W | 150°C | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.740 (CNY7.6162)500+ CNY5.700 (CNY6.441)1000+ CNY5.380 (CNY6.0794) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 197A | 817µohm | 197A | 197A | 817µohm | - | 817µohm | 10V | PowerPAIR | 2.2V | 8引脚 | 66W | 66W | 66W | 150°C | TrenchFET Gen IV SkyFET Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.560 (CNY7.4128)500+ CNY5.900 (CNY6.667)1000+ CNY5.430 (CNY6.1359)5000+ CNY5.120 (CNY5.7856) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 30V | 30V | 30V | 60A | 900µohm | 60A | 60A | 900µohm | 表面安装 | 900µohm | 10V | PowerPAIR | 2.2V | 8引脚 | 60W | 60W | 60W | 150°C | TrenchFET Gen IV SkyFET Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY7.260 (CNY8.2038)500+ CNY6.510 (CNY7.3563)1000+ CNY6.050 (CNY6.8365)5000+ CNY5.790 (CNY6.5427) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | N沟道+肖特基 | 25V | 25V | 25V | 60A | 600µohm | 60A | 60A | 600µohm | 表面安装 | 600µohm | 10V | PowerPAIR | 2.2V | 8引脚 | 60W | 60W | 60W | 150°C | TrenchFET Gen IV SkyFET Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY11.440 (CNY12.9272)500+ CNY9.680 (CNY10.9384)1000+ CNY8.320 (CNY9.4016)5000+ CNY7.730 (CNY8.7349) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | - | 25V | 25V | - | 105A | 0.0012ohm | 105A | - | - | 表面安装 | - | 10V | QFN | 1.6V | 10引脚 | 38W | 38W | - | 150°C | FastIRFET HEXFET Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY17.340 (CNY19.5942)500+ CNY14.940 (CNY16.8822)1000+ CNY13.910 (CNY15.7183) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道+肖特基 | - | 25V | 25V | 25V | 303A | 700µohm | 303A | 303A | - | 表面安装 | - | 10V | PQFN | 1.6V | 32引脚 | 156W | 156W | 156W | 150°C | FastIRFET HEXFET Series | |||||
