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SI4946BEY-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4946BEY-T1-E3
库存编号1497619RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续6.5A
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压20V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2.4V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.4W
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI4946BEY-T1-E3是一款60V双N沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装的LITTLE FOOT®功率MOSFET使用集成电路和小信号封装，这些封装经过改进，可提供功率器件所需的热传导能力。
- 无卤素，符合IEC 61249-2-21标准
- 175°C最高结温温度
- 100% Rg经过测试
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
6.5A
在电阻RDS（上）
0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
2.4W
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
20V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000255