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SI4946CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.860 (CNY6.6218) |
| 50+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 100+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 500+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 1000+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4946CDY-T1-GE3
库存编号2846626
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道6.1A
连续漏极电流 Id P沟道6.1A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.8W
耗散功率P沟道2.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
产品概述
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
6.1A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.8W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6.1A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
0
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001