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SI7460DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, 沟槽式FET, N通道, 60 V, 11 A, 0.0096 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
已停产
SI7460DP-T1-GE3 的替代之选
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产品概述
The SI7460DP-T1-GE3 is an N-channel Fast Switching MOSFET features a new low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile.
- Halogen-free in according to IEC 61249-2-21 standard
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (10-Jun-2022)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0096ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000241