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SI7461DP-T1-GE3
场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 14.4A, SOIC, 整卷
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7461DP-T1-GE3
库存编号2478973
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续14.4A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.9W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (10-Jun-2022)
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
14.4A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (10-Jun-2022)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：0