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SI7949DP-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7949DP-T1-E3
库存编号2101481RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续3.2A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.051ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.2A
连续漏极电流 Id P沟道3.2A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.051ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.051ohm
晶体管封装类型PowerPAK
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI7949DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
- New low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
3.2A
在电阻RDS（上）
0.051ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.2A
漏源通态电阻N沟道
0.051ohm
漏源导通电阻P沟道
0.051ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000125