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SI7949DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7949DP-T1-GE3
库存编号3772788RL
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续5A
连续漏极电流 Id N沟道5A
在电阻RDS（上）0.08ohm
连续漏极电流 Id P沟道5A
漏源通态电阻N沟道0.08ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.08ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
5A
连续漏极电流 Id P沟道
5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
5A
在电阻RDS（上）
0.08ohm
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
漏源导通电阻P沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000225