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SIA527DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 100+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
| 500+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
| 1000+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
| 5000+ | CNY1.230 (CNY1.3899) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA527DJ-T1-GE3
库存编号3772807
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001