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SIA929DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
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| 100+ | CNY2.710 (CNY3.0623) |
| 500+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
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| 5000+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
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技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.052ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
TrenchFET Gen III Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.052ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001