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SIA929DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA929DJ-T1-GE3
库存编号3772815RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.052ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.052ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.052ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
阈值栅源电压最大值1.1V
针脚数6引脚
功耗 Pd7.8W
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.052ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.052ohm
漏源导通电阻P沟道
0.052ohm
阈值栅源电压最大值
1.1V
功耗 Pd
7.8W
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
TrenchFET Gen III Series
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001