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SIS932EDN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY2.130 (CNY2.4069) |
| 10+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 100+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 500+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 1000+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 5000+ | CNY1.560 (CNY1.7628) |
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
23W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
0
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074