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SIS932EDN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS932EDN-T1-GE3
库存编号2846633RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续6A
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.018ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.018ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.018ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.4V
晶体管封装类型PowerPAK 1212
功耗 Pd23W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道23W
耗散功率P沟道23W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
23W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
0
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.018ohm
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
阈值栅源电压最大值
1.4V
功耗 Pd
23W
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074