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SIS9634LDN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY6.150 (CNY6.9495) |
| 100+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
| 500+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 1000+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
| 5000+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
17.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000154