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SISF00DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4200 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF00DN-T1-GE3
库存编号2932982RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续60A
在电阻RDS（上）0.0042ohm
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道4200µohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道4200µohm
阈值栅源电压最大值2.1V
晶体管封装类型PowerPAK 1212
功耗 Pd69.4W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0042ohm
连续漏极电流 Id P沟道
60A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
4200µohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
60A
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
4200µohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.1V
功耗 Pd
69.4W
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SISF00DN-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003