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SISF02DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF02DN-T1-GE3
库存编号3128861RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续60A
漏源电压Vds P沟道25V
在电阻RDS（上）0.0027ohm
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道2700µohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道2700µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值2.3V
针脚数8引脚
功耗 Pd69.4W
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
60A
在电阻RDS（上）
0.0027ohm
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
2700µohm
漏源导通电阻P沟道
2700µohm
阈值栅源电压最大值
2.3V
功耗 Pd
69.4W
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000109