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SISF04DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF04DN-T1-GE3
库存编号3350743RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续108A
在电阻RDS（上）0.003ohm
连续漏极电流 Id N沟道108A
连续漏极电流 Id P沟道108A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.003ohm
漏源导通电阻P沟道0.003ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
晶体管封装类型PowerPAK 1212-SCD
功耗 Pd69.4W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.003ohm
连续漏极电流 Id P沟道
108A
漏源通态电阻N沟道
0.003ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-SCD
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
108A
连续漏极电流 Id N沟道
108A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.003ohm
阈值栅源电压最大值
2.3V
功耗 Pd
69.4W
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001