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SIZ340DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ340DT-T1-GE3
库存编号2422226RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续40A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道40A
在电阻RDS（上）0.0042ohm
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道0.0042ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0042ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
功耗 Pd31W
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SIZ340DT-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于同步降压电池充电和图形卡, POL应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
- 100％ Rg和UIS测试
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
40A
连续漏极电流 Id N沟道
40A
连续漏极电流 Id P沟道
40A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
31W
耗散功率P沟道
31W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0042ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0042ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0042ohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033