打印页面
SIZ342DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
5,494 有货
需要更多？
5494 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
| 500+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 1000+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY367.00 (CNY414.71 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ342DT-T1-GE3
库存编号3772850RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续30A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.0084ohm
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0084ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0084ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.4V
针脚数8引脚
功耗 Pd16.7W
耗散功率N沟道16.7W
耗散功率P沟道16.7W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
30A
在电阻RDS（上）
0.0084ohm
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0084ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0084ohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
16.7W
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001