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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ998BDT-T1-GE3
库存编号3462762RL
技术数据表
晶体管极性N沟道+肖特基
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续94.6A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS(上)0.0018ohm
连续漏极电流 Id N沟道94.6A
连续漏极电流 Id P沟道94.6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0018ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0018ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.2V
功耗 Pd32.9W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道32.9W
耗散功率P沟道32.9W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
94.6A
在电阻RDS(上)
0.0018ohm
连续漏极电流 Id P沟道
94.6A
漏源通态电阻N沟道
0.0018ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0018ohm
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
32.9W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
94.6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
32.9W
耗散功率N沟道
32.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
SIZ998BDT-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001