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SIZF5302DT-T1-RE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF5302DT-T1-RE3
库存编号4006714RL
技术数据表
晶体管极性双N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续100A
连续漏极电流 Id N沟道100A
在电阻RDS（上）0.0027ohm
连续漏极电流 Id P沟道100A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0027ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0027ohm
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型PowerPAIR
功耗 Pd48.1W
针脚数12引脚
耗散功率N沟道48.1W
耗散功率P沟道48.1W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
双N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
100A
连续漏极电流 Id P沟道
100A
漏源通态电阻N沟道
0.0027ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0027ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
48.1W
产品范围
TrenchFET Gen V Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
100A
在电阻RDS（上）
0.0027ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
48.1W
耗散功率N沟道
48.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001