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SIZF928DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF928DT-T1-GE3
库存编号3765812
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道248A
连续漏极电流 Id P沟道248A
漏源通态电阻N沟道0.00053ohm
漏源导通电阻P沟道0.00053ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道74W
耗散功率P沟道74W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
Dual N-channel 30V (D-S) MOSFET I typically used in applications such as CPU core power, computer / server peripherals, POL, synchronous buck converter and telecom DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
248A
漏源导通电阻P沟道
0.00053ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
74W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
248A
漏源通态电阻N沟道
0.00053ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001