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SIZF928DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF928DT-T1-GE3
库存编号3765812RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续248A
连续漏极电流 Id N沟道248A
在电阻RDS（上）530µohm
连续漏极电流 Id P沟道248A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.00053ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.00053ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd74W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道74W
耗散功率P沟道74W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
Dual N-channel 30V (D-S) MOSFET I typically used in applications such as CPU core power, computer / server peripherals, POL, synchronous buck converter and telecom DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
248A
连续漏极电流 Id P沟道
248A
漏源通态电阻N沟道
0.00053ohm
漏源导通电阻P沟道
0.00053ohm
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
74W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
248A
在电阻RDS（上）
530µohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
74W
耗散功率N沟道
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001