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SQJ504EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0061 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY14.980 (CNY16.9274) |
| 10+ | CNY9.870 (CNY11.1531) |
| 100+ | CNY6.730 (CNY7.6049) |
| 500+ | CNY5.360 (CNY6.0568) |
| 1000+ | CNY4.360 (CNY4.9268) |
| 5000+ | CNY4.280 (CNY4.8364) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ504EP-T1_GE3
库存编号2886991
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0061ohm
漏源导通电阻P沟道0.0061ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Vishay的新型AEC-Q101车用MOSFET采用专用工艺流程制造, 坚固耐用。Vishay Siliconix AEC-Q101 SQ系列最高额定结温为175°C, 采用无铅 (Pb)和无卤素SO封装, 低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET® 技术。多种选项, 包括传统D2PAK (TO-263), DPAK (TO-252), 以及多种PowerPAK®封装, 这种封装相比D2PAK, DPAK和SO-8, 更好的节省空间, 同时具有相似的导通电阻和热阻。SQ系列包括超紧凑封装设备, 例如TSOP-6, SOT-23, SC-89。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0061ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
34W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0061ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001