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SQJ504EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0061 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ504EP-T1_GE3
库存编号2886991RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续30A
连续漏极电流 Id N沟道30A
在电阻RDS（上）0.0061ohm
连续漏极电流 Id P沟道30A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0061ohm
漏源导通电阻P沟道0.0061ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
功耗 Pd34W
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Vishay的新型AEC-Q101车用MOSFET采用专用工艺流程制造, 坚固耐用。Vishay Siliconix AEC-Q101 SQ系列最高额定结温为175°C, 采用无铅 (Pb)和无卤素SO封装, 低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET® 技术。多种选项, 包括传统D2PAK (TO-263), DPAK (TO-252), 以及多种PowerPAK®封装, 这种封装相比D2PAK, DPAK和SO-8, 更好的节省空间, 同时具有相似的导通电阻和热阻。SQ系列包括超紧凑封装设备, 例如TSOP-6, SOT-23, SC-89。
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0061ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK SO
功耗 Pd
34W
耗散功率P沟道
34W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
30A
在电阻RDS（上）
0.0061ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0061ohm
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000544