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SQJB68EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.010 (CNY6.7913) |
| 10+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 100+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 500+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
| 1000+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 5000+ | CNY2.720 (CNY3.0736) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB68EP-T1_GE3
库存编号2932990
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道11A
连续漏极电流 Id P沟道11A
漏源通态电阻N沟道0.0765ohm
漏源导通电阻P沟道0.0765ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道27W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
11A
漏源导通电阻P沟道
0.0765ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
27W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
11A
漏源通态电阻N沟道
0.0765ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003