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SQM40031EL_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY17.490 (CNY19.7637) |
| 100+ | CNY16.260 (CNY18.3738) |
| 500+ | CNY15.030 (CNY16.9839) |
| 1000+ | CNY13.800 (CNY15.594) |
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产品概述
- TrenchFET® power MOSFET
- 具有低热阻的封装
- 100 %Rg和UIS测试
- AEC-Q101合规
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
MSL
-
技术文档 (1)
SQM40031EL_GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002359