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VS-FC420SA10
MOSFET晶体管, N沟道, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VS-FC420SA10
库存编号3513307
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续435A
漏源电压, Vds100V
漏源接通状态电阻0.00215ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.8V
功率耗散652W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
VS-FC420SA10 是功率模块单开关功率 MOSFET。
- ID <gt/> 420A，TC = 25°C，TrenchFET® 功率 MOSFET
- 低输入电容 (Ciss)，降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)，雪崩能量额定值 (UIS)
- UL 认证文件 E78996
- 漏极至源极电压最大为 100V（TC = 25°C）
- 静态漏极至源极导通电阻为 1.3mohm（典型值，VGS = 10V，ID = 200A，TJ = 25°C）
- 连续漏极电流，VGS 为 10V 时最大为 435A （TC = 25°C）
- 绝缘电压（有效值）最大为 2500V（任意端子至外壳，t = 1 分钟，TC = 25°C）
- 上升时间为 275ns（典型值，VDD = 50V，TJ = 25°C），下降时间为 172ns （典型值，VDD = 50V，TJ = 25°C）
- SOT-227 封装，工作结温范围为 -55 至 +175°C
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
652W
产品范围
TrenchFET Series
电流, Id 连续
435A
漏源接通状态电阻
0.00215ohm
阈值栅源电压最大值
3.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.04