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DMTH10H017LPD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMTH10H017LPD-13
库存编号3405248RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续59A
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道59A
在电阻RDS（上）0.0137ohm
连续漏极电流 Id P沟道59A
漏源通态电阻N沟道0.0174ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerDI5060
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd2.6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.6W
耗散功率P沟道2.6W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
59A
连续漏极电流 Id N沟道
59A
连续漏极电流 Id P沟道
59A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.6W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
在电阻RDS（上）
0.0137ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0174ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
PowerDI5060
功耗 Pd
2.6W
耗散功率N沟道
2.6W
工作温度最高值
175°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002