打印页面
DMTH10H017LPD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMTH10H017LPD-13
库存编号3405248RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续59A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.0137ohm
连续漏极电流 Id N沟道59A
连续漏极电流 Id P沟道59A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0137ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0137ohm
晶体管封装类型PowerDI5060
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd2.6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.6W
耗散功率P沟道2.6W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
59A
在电阻RDS（上）
0.0137ohm
连续漏极电流 Id P沟道
59A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0137ohm
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.6W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
59A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerDI5060
功耗 Pd
2.6W
耗散功率N沟道
2.6W
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002