双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
2725856RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY7.170
(CNY8.1021)
500+
CNY6.030
(CNY6.8139)
1000+
CNY5.560
(CNY6.2828)
5000+
CNY5.000
(CNY5.650)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
100V
100V
100V
20A
0.02ohm
20A
20A
0.02ohm
表面安装
0.02ohm
10V
TDSON
1.6V
8引脚
60W
60W
60W
175°C
OptiMOS T2 Series
AEC-Q101
AEC-Q101
2725857RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY8.540
(CNY9.6502)
500+
CNY6.590
(CNY7.4467)
1000+
CNY5.850
(CNY6.6105)
5000+
CNY5.300
(CNY5.989)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
100V
100V
100V
20A
0.02ohm
20A
20A
0.02ohm
表面安装
0.02ohm
10V
TDSON
1.6V
8引脚
60W
60W
60W
175°C
OptiMOS T2 Series
AEC-Q101
AEC-Q101
2932986RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY6.940
(CNY7.8422)
500+
CNY6.640
(CNY7.5032)
1000+
CNY5.880
(CNY6.6444)
5000+
CNY5.120
(CNY5.7856)
最少:100 / 多个:1
N沟道+肖特基
N沟道+肖特基
30V
30V
30V
60A
900µohm
60A
60A
900µohm
表面安装
900µohm
10V
PowerPAIR
2.2V
8引脚
60W
60W
60W
150°C
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
-
-
2932985RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY7.540
(CNY8.5202)
500+
CNY6.290
(CNY7.1077)
1000+
CNY6.040
(CNY6.8252)
5000+
CNY5.790
(CNY6.5427)
最少:100 / 多个:1
N沟道+肖特基
N沟道+肖特基
25V
25V
25V
60A
600µohm
60A
60A
600µohm
表面安装
600µohm
10V
PowerPAIR
2.2V
8引脚
60W
60W
60W
150°C
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
-
-
3128862RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY16.530
(CNY18.6789)
500+
CNY15.050
(CNY17.0065)
1000+
CNY14.090
(CNY15.9217)
最少:100 / 多个:1
互补N与P沟道, N沟道
互补N与P沟道, N沟道
200V
200V
200V
30A
0.0077ohm
30A
30A
0.0077ohm
表面安装
0.0077ohm
10V
-
3V
10引脚
60W
60W
60W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
AEC-Q101
1-5 项,共 5 项
,共 1 页

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